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第一篇：半导体工艺实习心得体会
半导体工艺实习心得体会
12023110 王宁
这是我们第一次参加工艺实习，这让我不免有些好奇和激动。
记得大一新生研讨课的时候参观过我们的工艺实习间，这次又来，故并没有感到这个工艺间很陌生。说实在的，就在进入工艺间并换好行头后，自己真的有种要兢兢业业干一番事业的感觉了，但在之后的对准练习这个环节，我深深的怀疑了自己的能力。
由于组内男生较多，所以很多体力活他们都主动承担了，特别感谢他们。组长主动担任起最危险的煮王水的这一道工艺，细心的李军和魏行则进入光刻间进行光刻和甩胶的任务。记得我第一次尝试光刻对准这道工序的时候，对的一点都不准，之后对照着老师对准的模版，才把握住这道工艺的要领，笨鸟就要多练习，渐渐的我在练习中也增长了经验。
甩胶这一步，首先是自己不能紧张，手越抖，胶就越不能滴准到吸盘的正中心，也就甩不均匀。而且一定要心细，时刻注意保护光刻胶，不能让它曝光。接着就是扩散的工艺，因为加热设备温度能达到上千度，炉口的温度也很高，所以在送、取硅片的时候都要在高温下保持住平稳，这样硅片才能正正的放进炉中。
工艺实习虽然很短暂，但就在这么短暂的两天的时间里，真的要比在课堂上听两天的课学到的多。
第二篇：半导体工艺实习个人总结
半导体工艺实习个人总结
几天的工艺实习已经结束了。我想，作为一个独立的一员，我们要学会的远不是对仪器的操作，而是对工艺理论更加深入地了解。虽然无法实质性地看到书本上所向我们展示的神奇的微观世界，但是对这个领域近距离的接触依然足以让我们更好地理解一步步工艺流程、注意事项及其原因，印象也很深刻。而作为一个合作组中一个不可或缺的工作环节的操作人员，已是大三的我们并不存在合作的问题，然而通过如此明确的分工、依靠集体的力量去获得一个成品，却是从未有过的经历，这要我们一步步的衔接，一点点的前进。
我在这次工艺实习过程中担任蒸发这一工作环节。其实从很大程度上来说，这个环节的任务并不繁重，只需要做一次，不必像做清晰、光刻、扩散的同学一样来回做几次。尽管对其他工艺有所了解，但对于我来说，没有实际操作可能没有别的同学体会深刻。带我做蒸发实习是一位研三的学长，做的时候温度、指示计及操作步骤都是完全设计好的，我想这应该是通过数次实验得出的一个最佳指标。在蒸发初时漫长的升温等待中，学长又和我讲了一些后续操作的相关注意事项（比如控制铝丝融化的时间，钨丝上不再有熔融态的“铝球”再进行下一步操作等），包括学长以前和老师关于仪器原理的讨论，都对我有很大的帮助。
蒸完后，我当时觉得效果还是很不错的。后来从光刻的同学那里知道，铝蒸厚了，腐蚀了很久也没有刻出来。其实我觉得我还是很认真的按照要求去做的，造成铝蒸厚的原因我个人分析有两个，一个是我在数铝丝融化控制的秒数时可能数的慢了些，另一个可能是等待铝丝完全汽化的时间过长。这两者都会造成铝原子在片子表面过度堆积。
总之，这三天的工艺实习已经过去了，我们学到了很多，体会到了很多。虽然最后的结果不是那么理想（没有出三极管的特性），但对于我们来说，收获的最重要的是过程。一个好的成品永远是建立在完善的工艺流程上的。
09023213王莹2011.11.08
第三篇：半导体工艺教案第八章
第九章 掺杂
【教学内容及教学过程】 8.1 引言
8.1.1 刻蚀的概念
刻蚀（Etching）是把进行光刻前所淀积的薄膜（厚度约在数百到数十纳米）中没有被光刻胶覆盖和保护的部分，用化学或物理的方式去除，以完成转移掩膜图形到薄膜上面的目的，如图8⁃1所示。
图 8-1 刻蚀图形转移示意图
1)湿法刻蚀是利用合适的化学试剂将未被光刻胶保护的晶圆部分分解，然后形成可溶性的化合物以达到去除的目的。
2)干法刻蚀是利用辉光(Glow Discharge)的方法产生带电离子以及具有高浓度化学活性的中性原子和自由基，这些粒子和晶圆进行反应，从而将光刻图形转移到晶圆上。8.1.2 刻蚀的要求 1.图形转换的保真度高 2.选择比 3.均匀性 4.刻蚀的清洁 8.2 刻蚀工艺 8.2.1 湿法刻蚀
最早的刻蚀技术是利用溶液与薄膜间所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。这种刻蚀方式就是湿法刻蚀技术。湿法刻蚀又称湿化学腐蚀，其腐蚀过程与一般化学反应相似。由于是腐蚀样品上没有光刻胶覆盖部分，因此，理想的腐蚀应当是对光刻胶不发生腐蚀或腐蚀速率很慢。刻蚀不同材料所选取的腐蚀液是不同的。1)湿法刻蚀的反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应生成物沉淀，从而影响刻蚀正常进行。
2)湿法刻蚀是各向异性的，刻蚀中腐蚀液不但浸入到纵向方向，而且也在侧向进行腐蚀。3)湿法刻蚀过程伴有放热和放气过程。1)反应物扩散到被刻蚀材料的表面。2)反应物与被刻蚀材料反应。
3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中，随溶液被排除。8.2.2 干法刻蚀
干法刻蚀是以等离子体来进行薄膜刻蚀的一种技术。在干法刻蚀过程中，不涉及溶液，所以称为干法刻蚀。
1)物理刻蚀是利用辉光放电将气体(比如氩气)解离成带正电的离子，再利用偏压将带正电的离子加速，轰击在被刻蚀薄膜的表面，从而将被刻蚀物质的原子轰击出去。2)化学刻蚀又叫做等离子刻蚀，它与物理刻蚀完全不同，它是利用等离子体，将反应气体解离，然后借助离子与薄膜之间的化学反应，把裸露在等离子体中的薄膜，反应生成挥发性的物质而被真空系统抽离。1.等离子体的概念 2.等离子体的产生方式
(1)气体放电法 通常把在电场作用下，气体被击穿而导电的现象称为气体放电。
(2)射线辐照法 射线辐照法是利用各种射线或粒子束辐照，使得气体电离而产生等离子体。8.2.3 两种刻蚀方法的比较
湿法刻蚀是在水溶液下进行的，所以刻蚀速度较快，同时选择度较高，但刻蚀时是各向同性腐蚀，也就是说，除了在纵向进行腐蚀以外，在横向上也会有腐蚀，这样就造成图形转换时保真度较低，因此，湿法刻蚀不能满足超大规模集成电路制造的要求。
图8-2 干法刻蚀与湿法刻蚀效果的比较 8.3 干法刻蚀的应用 8.3.1 介质膜的刻蚀
集成电路工艺中所广泛用到的介质膜主要是SiO2膜及Si3N4膜。1.二氧化硅的干法刻蚀
图8-3 HWP结构图 8.3 干法刻蚀的应用
图8-4 等离子体扩散腔外围磁场(1)氧的作用 在CF4中加入氧后，氧会和CF4反应释放出F原子，因而增加F原子的含量，则增加了Si与SiO2的刻蚀速率，并消耗掉部分C，使得等离子体中碳与氟的比例下降。
图8-5 所占百分比与Si和Si的 刻蚀速率的关系
(2)氢的作用
图8-6 所占百分比与Si和Si刻速率的关系
(3)反应气体 在目前的半导体刻蚀制备中，大多数的干法刻蚀都采用CHF3与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。2.氮化硅(Si3N4)的干法刻蚀
图8-7 圆筒形结构示意图 8.3.2 多晶硅膜的刻蚀
在MOS器件中，栅极部分起着核心的作用，因此栅极的宽度需要严格控制，因为它代表了MOS器件的沟道长度，从而与MOS器件的特性息息相关。因此，多晶硅的刻蚀必须严格地将掩膜上的图形转移到多晶硅薄膜上。此外，刻蚀后的轮廓也很重要，如栅极多晶硅刻蚀后侧壁有倾斜时，将会遮蔽源极和漏极的离子分布，造成杂质分布不均匀，通道的长度将随倾斜程度的不同而改变。同时，刻蚀时要求Si对SiO2的选择性要高，如果多晶硅覆盖在很薄（小于20nm）的栅极氧化层上，如果氧化层被穿透，氧化层下面的源—漏极间的Si将很快被刻蚀。因此，若采用CF4、CF6等氟离子为主的等离子体来刻蚀多晶硅，则不太合适，较低的选择比会对器件造成损坏。
除此之外，此类气体还具有负载效应，负载效应是指当被刻蚀的材料裸露在等离子体中的面积较大的刻蚀速率比面积小的慢，也就是局部腐蚀速率不均匀。8.3.3 金属的干法刻蚀
金属铝是目前半导体器件及集成电路制造中应用最多的导电材料。因为铝的导电性能良好，价格低廉，而且铝膜的淀积和刻蚀都比较方便，所以铝电极几乎占了所有半导体器件及集成电路中的导电体。但是，随着元器件的集成度和工艺的进一步提高，采用金属铝作为电极引线也遇到了困难。这是由于在高温下，硅原子和铝原子容易向彼此间扩散，从而产生被称为“尖刺”的现象，导致铝引线与MOS管接触不好。此外，当铝线线条宽度设计得十分细小时，由于“电迁移”现象，引发铝原子的移动，使得铝丝断开。因此，后来，人们采用铜线来取代铝线，也有采用铝⁃硅⁃铜合金来代替金属铝。但是，铝还是目前集成电路和半导体器件中主流的导电引线。1.铝的刻蚀 2.铝合金的刻蚀
1)将晶圆以大量的去离子水清洗。2)刻蚀之后，晶圆还在真空中时以氧气等离子体将掩膜去除并在铝合金表面形成氧化层来保护铝合金。
3)在晶圆移出刻蚀腔前，以氟化物的等离子体做表面处理，如CF4、CHF3，将残留的氯置换成氟，形成AlF3,或在铝合金表面形成一层聚合物来隔离铝合金与氯的接触。3.钨的回蚀 4.铜的腐蚀
8.3.4 光刻胶的去除
晶圆表面薄膜材料腐蚀完毕，必须将光刻胶去除掉，这一工序称为去胶。常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化去胶和等离子体去胶。下面分别加以阐述。1.溶剂去胶 2.氧化去胶 3.等离子体去胶
图8-8 等离子体去胶设备示意图
1)系统真空度要达到3×12-2Torr(1Torr=133.322Pa)，然后通入氧气，并用针型阀门调节流量。2)高频信号源的频率是11~12MHz，输出功率为150~200W。3)通入氧气的流量
8.4 干法刻蚀的质量控制 分析光学放射原理
图8-9 光学放射频谱 1.光学放射频谱分析 2.激光干涉测量
图8-10 激光干涉测量图形
1)激光束要聚焦在晶圆的被刻蚀区，且该区域的面积应足够大。2)必须对准在该区域上，因而增加了设备镜片的设计难度。8.4 干法刻蚀的质量控制
3)被激光照射的区域温度升高而影响刻蚀速率，造成刻蚀速率与不受激光照射区域的不同。4)如果被刻蚀的表面粗糙不平，则所测得的信号将很弱。3.质谱分析
1)部分物质的质量/电荷比相同，如N2、CO、Si等，使得检测同时拥有这些成分的刻蚀时无法判断刻蚀是否完成。
2)从空腔取样的结果会影响刻蚀终点的检测。3)设备不容易安装到各种刻蚀机上。【作业布置】
【课后分析】
第四篇：半导体工艺实习心得体会
半导体工艺实习心得体会
12023110 王宁
这是我们第一次参加工艺实习，这让我不免有些好奇和激动。
记得大一新生研讨课的时候参观过我们的工艺实习间，这次又来，故并没有感到这个工艺间很陌生。说实在的，就在进入工艺间并换好行头后，自己真的有种要兢兢业业干一番事业的感觉了，但在之后的对准练习这个环节，我深深的怀疑了自己的能力。
由于组内男生较多，所以很多体力活他们都主动承担了，特别感谢他们。组长主动担任起最危险的煮王水的这一道工艺，细心的李军和魏行则进入光刻间进行光刻和甩胶的任务。记得我第一次尝试光刻对准这道工序的时候，对的一点都不准，之后对照着老师对准的模版，才把握住这道工艺的要领，笨鸟就要多练习，渐渐的我在练习中也增长了经验。
甩胶这一步，首先是自己不能紧张，手越抖，胶就越不能滴准到吸盘的正中心，也就甩不均匀。而且一定要心细，时刻注意保护光刻胶，不能让它曝光。接着就是扩散的工艺，因为加热设备温度能达到上千度，炉口的温度也很高，所以在送、取硅片的时候都要在高温下保持住平稳，这样硅片才能正正的放进炉中。
工艺实习虽然很短暂，但就在这么短暂的两天的时间里，真的要比在课堂上听两天的课学到的多。
第五篇：半导体工艺实习个人总结
半导体工艺实习个人总结
几天的工艺实习已经结束了。我想，作为一个独立的一员，我们要学会的远不是对仪器的操作，而是对工艺理论更加深入地了解。虽然无法实质性地看到书本上所向我们展示的神奇的微观世界，但是对这个领域近距离的接触依然足以让我们更好地理解一步步工艺流程、注意事项及其原因，印象也很深刻。而作为一个合作组中一个不可或缺的工作环节的操作人员，已是大三的我们并不存在合作的问题，然而通过如此明确的分工、依靠集体的力量去获得一个成品，却是从未有过的经历，这要我们一步步的衔接，一点点的前进。
我在这次工艺实习过程中担任蒸发这一工作环节。其实从很大程度上来说，这个环节的任务并不繁重，只需要做一次，不必像做清晰、光刻、扩散的同学一样来回做几次。尽管对其他工艺有所了解，但对于我来说，没有实际操作可能没有别的同学体会深刻。带我做蒸发实习是一位研三的学长，做的时候温度、指示计及操作步骤都是完全设计好的，我想这应该是通过数次实验得出的一个最佳指标。在蒸发初时漫长的升温等待中，学长又和我讲了一些后续操作的相关注意事项（比如控制铝丝融化的时间，钨丝上不再有熔融态的“铝球”再进行下一步操作等），包括学长以前和老师关于仪器原理的讨论，都对我有很大的帮助。
蒸完后，我当时觉得效果还是很不错的。后来从光刻的同学那里知道，铝蒸厚了，腐蚀了很久也没有刻出来。其实我觉得我还是很认真的按照要求去做的，造成铝蒸厚的原因我个人分析有两个，一个是我在数铝丝融化控制的秒数时可能数的慢了些，另一个可能是等待铝丝完全汽化的时间过长。这两者都会造成铝原子在片子表面过度堆积。
总之，这三天的工艺实习已经过去了，我们学到了很多，体会到了很多。虽然最后的结果不是那么理想（没有出三极管的特性），但对于我们来说，收获的最重要的是过程。一个好的成品永远是建立在完善的工艺流程上的。
09023213王莹2011.11.08
第六篇：半导体工艺
圓晶是制作 一般清洗技术
光学显影是在感光胶上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到感光胶下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。曝光方式:紫外线、X射线、电子束、极紫外
蝕刻技術（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為: 濕蝕刻（wetetching）:濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之後達到蝕刻的目的.乾蝕刻（dryetching）:乾蝕刻則是利用一种電漿蝕刻
CVD化學气相沉積是利用热能、电浆放电或紫外光照射等化学反应的方式，在反应器内将反应物（通常为气体）生成固态的生成物，并在晶片表面沉积形成稳定固态薄膜
较为常见的CVD薄膜包括有：■二气化硅（通常直接称为氧化层）■氮化硅■多晶硅■耐火金属与这类金属之其硅化物
物理气相沈積（PVD）
主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面
离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。
太阳能的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒及酸洗——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀及酸洗——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
丝印简单点就叫漏印，是通过胶刮压力迫使油墨从网眼中漏下去。使用的网版、胶刮。移印则是通过胶头的作用将刻在钢板上的图案转移到工件上，类似盖章。使用钢板、胶头。一般情况下丝印的墨层比移印厚，因此线条比较细的图案用移印比较容易，大色块的图案用丝印比较容易。
丝印机总的来讲，用于平面或者曲面的印刷。而移印机可以用于很多不规则物品的印刷的，比如球体之类的等等。丝印机需要出网版，移印机需要做钢板
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备
一、硅片检测
硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
四、去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
五、等离子刻蚀
由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。
六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。
七、丝网印刷
太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程。
八、快速烧结
经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。
烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值;降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
九、外围设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等外围设施。消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到中国电子级水GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。真空排气量在300M3/H左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如硅烷的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以绝对保证生产安全。另外，硅烷燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。
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