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第一篇：篇一测绘科研项目申请书范文
本项目将着重于新型量子功能材料的物性表征和新型量子功能材料的探索。主要研究方向为关联系统中的高温超导体、庞磁阻材料、石墨烯和拓扑绝缘体等材料中的电荷、轨道、自旋等自由度相互竞争、相互耦合，以及因此产生的多个量子态竞争和共存、自旋量子霍尔效应等现象。探索新型量子功能材料、发现新的量子态；对新型量子材料的物理基本性质进行研究、输运性质进行高精度测量、结合理论研究理解关联体系的物理机制；利用各种实验手段测量石墨烯和拓扑绝缘体的物理性质，研究因维数效应产生的新奇物理现象。按照项目的不同侧重点和研究手段的不同，将项目按照材料探索、物性研究、输运性质的高精度测量和低维体系四个方面展开研究：
1、新型超导材料和量子态的探索：
本课题的首要目标是探索新的高温超导材料，同时发展晶格结构和电子结构分析技术，以及超高压测量技术，分析自旋、电荷、轨道等有序现象，努力发现新的量子现象。研究内容互相补充，细分为以下几个方向：
（1）新材料的探索与合成及单晶生长：探索新超导材料，主要从事铁基超导材料以及类似的层状、多层含有类似Fe―As面的多元化合物的探索，以及包含稀土和过渡元素的其他层状多元化合物中的新材料探索；总结样品合成和成相规律，发展新方法、新工艺，寻找新现象、新效应；另外将生长高质量单晶样品以用于深入的物理研究。
（2）晶体结构表征与研究：对发现的新材料进行晶格结构、化学成分的表征，从而促进材料的探索；研究新的结构现象，深入分析新型超导体的微结构―物理性能之间的关联，研究化学成键、电子能带结构，研究高/低温结构相变等，研究晶格中缺陷、畸变对超导的影响。
（3）超高压下的量子效应研究：研发一套超高压低温测量系统（100GPa，1.5K），在此基础上研究超高压下铁基材料以及其他新材料中可能出现的新奇量子现象、超高压对超导转变的影响、高压高场下材料的物性和相图，探索高压下可能出现的新量子态和新奇量子现象。
（4）中子散射研究：研究铜氧化物和铁基高温超导材料以及其他新材料的晶格精细结构，电子自旋、电荷、轨道有序结构，研究超导材料及其母体中的自旋激发、自旋涨落的形成、演变及其和超导的关系，研究材料中形成的新的量子态和量子现象。
2、关联体系量子功能材料的物性研究：
利用谱学的方法研究新型量子功能材料的电子结构，主要包括ARPES，STM和自旋极化的STM（SP―STM），以及红外光谱的方法研究关联系统（以高温超导体和庞磁阻材料为主）的电子结构，争取在高温超导和庞磁阻材料的机理研究中有重大突破。具体到各种谱学实验方法和强关联体系中的问题，细分为：
（1）以高精度角分辨光电子能谱为手段，深入研究以高温超导体（包括铜氧超导体和铁基超导体）为主的多种新奇超导体材料。本项目将结合我们在高温超导材料和角分辨光电子能谱上的优势，对高温超导体进行深入系统的研究，重点研究超导态对称性、赝能隙、电子与其它集体激发模式耦合等现象。
（2）锰氧化物体系，特别是三维钙钛矿结构锰氧化物薄膜的电子结构，我们将在不同晶格参数的衬底上生长具有不同组分和厚度的高品质外延锰氧化物薄膜，用ARPES原位测量体系的电子结构。总结锰氧化物体系电子结构随组分、应力和温度的变化规律，研究电子―电子及电子―波色子相互作用对电子行为的影响，揭示电子结构和宏观物理特性之间的联系。从电子结构的角度出发试图阐明锰氧化物体系庞磁阻、相分离、电荷轨道有序等异常物理性质的内在机理。
（3）利用STM特有的原子级空间分辨率，局域态密度能谱，能量分辨谱图，及原子操纵功能。通过高分辨率的空间扫描成像，定位表面相关原子层结构，特别是掺杂原子的位置。研究掺杂原子对表面原子层结构的调制。通过局域态密度能谱，研究库珀电子对的激发态（超导能隙）与赝能隙（pseudogap）的关系。通过分析能量分辨谱图，研究超导序的二维结构及其演变规律。通过改变温度，调整掺杂浓度，及外加磁场，我们可以直观地观察超导序表面二维结构的变化。
（4）发展SP―STM技术研究高温超导材料中电子自旋结构。这个新型的SP―STM将能提供原子级空间分辨率和自旋极化分辨的谱图图像。利用这一工具，我们将着重研究在反铁磁与超导共存的高温超导体中的反铁磁自旋结构，超导磁通蜗旋中反铁磁核心的存在早已由SO（5）理论预测，此结果将验证SO（5）理论预测的结果。另外，我们将利用这一工具研究表面吸附的磁性原子对局域态密度能谱的影响及其与超导电子对的相互作用。
（5）建设强磁场下的红外反射谱测量系统，研究磁场下高温铜氧化物超导体和铁基超导体的准粒子激发行为。重点研究铜氧超导体和铁基超导体中电子与集体激发―声子激发/自旋激发模式的耦合问题。我们将用光学响应或光电导谱对材料的电子结构，传导载流子的动力学性质等重要信息进行分析，研究超导配对引起的能隙特征，揭示电子是与何种集体模式存在较强的耦合等基本信息。
（6）利用高压多重合成条件获得结构简单和性质独特的高质量的铜基和铁基高温超导体及巡游磁性体系单晶，探寻关联体系金属化过程的量子序及其调控机制。在我们成功的高温高压合成以上具有特点的多晶材料的基础上，进一步优化压力、温度和组分等极端合成条件，研制和研究在结构简单的、高质量的含卤素的Sr2CuO2+δCl2―x高温超导体单晶和可能的巡游型BaRuO3单晶，以及“111”型铁基超导体单晶体；运用多种能谱学、磁性、显微学等物理条件的综合表征体系，研究揭示这些体系的量子有序规律。
（7）利用我们发展的新的理论和计算方法，结合实验组的研究进展对多种过渡金属氧化物及其奇异物性进行定量的研究。一方面，为各种实验现象及其物理本质提供理论解释，另一方面，计算模拟并预测一些新型的量子有序现象，包括金属―绝缘体相变，轨道选择性的Mott转变，轨道有序态，Berry相等等。主要研究内容包括自旋与轨道自由度相关的量子现象计算研究；受限强关联电子系统中的量子现象计算研究。
3、量子材料输运性质的高精度测量
（1）首先我们将致力于自行研制加工一套较完备的电学、热学和磁学测量装置，其中包括热导率、热电势、能斯特效应、微晶比热和微杠杆磁强计等较独特的手段。这些装置将可以工作在低温、高真空、强磁场的极端物理条件下，测量结果的精度具有国际领先水平。将完善一套低温比热测量装置，获得比一般商业手段高出一个量级的测量精度。建造一套转角度的比热测量系统。研究非常规超导体的低能激发和配对对称性。完善小Hall探头系统和磁场极慢扫描的振动样品磁强计，精密测量磁场穿透行为，确定下临界磁场和超流密度随温度的变化关系。
（2）我们将对高温超导体、铁基超导体和钠钴氧体系进行深入的实验研究。这三个体系的共性是由于电子强关联作用，电荷与自旋自由度有分离的倾向，然而相互之间又存在着精微的相互作用，从而导致高温超导、超导与磁性紧邻甚至共存、居里―外斯金属等奇妙的物理现象。如何理解电荷与自旋自由度的关系是强关联物理的核心理论问题之一。我们可以通过选取特定的研究手段而选择性地分别探测电荷与自旋元激发，也可以同时研究二者之间的相互作用。将这些不同的手段结合起来将可以对关联体系中电荷与自旋的行为提供一个较完整的图像。我们关注的主要问题包括磁性与超导的相互关系、电荷与自旋有序态的形成机制、自旋自由度对电荷输运和熵输运的影响，等等。
（3）电荷与自旋的相互作用也是很多功能性关联材料在器件应用方面的物理基础，例如钠钴氧体系中自旋熵对热电效应的贡献、多铁材料中外加电场对自旋取向的控制、锰氧化物中外加磁场对电阻的巨大影响，等等。在对电荷自旋相互作用基本原理的理解基础上，我们还将探索它们在功能性器件应用方面，特别是超导效应、热电效应、磁阻效应等在能源和信息领域的新思路、新途径。（4）充分利用化学掺杂和结构修饰进行新量子材料体系的探索工作。采用合适的化学合成方法以及良好的合成设备，获得高质量的合乎要求的样品。采用x射线衍射、电子显微镜等常规实验手段对样品进行结构表征。必要时，通过同步辐射、中子衍射等大型研究设施对系统的结构作更细致的测量。对高质量样品进行各种精密的物理性质测量。包括电阻、磁电阻、霍尔效应、热电效应、能斯特效应、磁化强度、比热、热导、光学性质以及核磁共振和穆斯鲍尔谱等。归纳、总结系统的物理规律特性与电子相图。
（5）在新型铁基超导体系方面，我们将以元素替代作为主要探针，研究铁基超导体的超导机理。理论上拟以CeFeAsO1―xFx、CeFeAs1―xPxO等材料为代表，发展从磁性“坏金属”或“近莫特绝缘体”到重费米子液体过渡的理论框架，用平均场等方法、结合数值计算来研究这一理论，并以此来解释铁基超导材料在输运性质、磁学性质等方面表现出来的多样性和复杂性，探索这类体系中可能出现的奇特量子相变和相应的量子临界性。
（6）在铜氧化物高温超导方面，结合前述精确实验测量，我们将以掺杂莫特绝缘体模型为出发点，研究赝能隙区可能存在的隐藏的量子序、量子序和超导态的竞争和共存、费米面的重组、以及到费米液体区的量子相变。希望由此理解超导相图中在最佳掺杂区附近可能出现的量子临界点以及相联系的一系列反常输运和磁学性质；在重费米合金方面，我们拟以CeCu2（Si1―xGex）2等材料为代表，具体考察关联杂化项对量子临界点产生的影响，研究由于可能由于压力效应引起的f轨道价态杂变化，以及两个近邻的量子相变，确定相应的电阻标度行为和量子临界性。
4、低维量子体系和量子态的研究：
（1）探索制备高质量的石墨烯单晶的方法，研究生长条件对单层石墨烯结构的影响，探索重复性好、效率高、成本低、易控制的制备技术。表征单层石墨烯长程有序度。通过变温、低温STM/STS，深入研究石墨烯体系的本征电子结构以及缺陷、掺杂对电子结构的调制。生长高质量拓扑绝缘体单晶，研究它们的基本性质。
（2）探索和生长高质量的拓扑绝缘体材料，拓扑绝缘体大部分是合金材料，需要优化目前晶体生长工艺。争取准备组分分布均匀，形状规整的大尺寸二元固溶体多晶锭料。
（3）利用STM和扫描隧道谱（STS）表征，研究膜石墨烯的几何结构和本征电子结构。测量石墨烯膜的扶手椅型边缘和锯齿型边缘的局域电、磁性质。将充分发挥变温STM优势，研究单个分子以及多个分子在石墨烯表面可能的奇异动力学行为或几何结构，物化特征。
（4）利用STM研究在拓扑绝缘体的金属表面态；通过表面沉积非磁性杂质研究狄拉克费米子和杂质的相互作用，无磁性中性杂质对于拓扑绝缘体表面狄拉克费米子的散射，为输运性质的研究提供基础，检验和理解前人有效理论预言的拓扑磁电效应。利用自旋分辨的STM技术，观察杂质在实空间诱导的自旋texture。在表面沉积磁性杂质，研究体内磁性杂质所造成的时间反演破缺对于边界态的影响。尤其在带有内部自由度的杂质的研究中，着重研究在拓扑绝缘体背景下两个杂质的内部自由度相互间的量子关联，这对于量子信息处理将可能有重要的潜在价值。
（5）利用角分辨光电子谱测量石墨烯的电子结构，包括石墨烯的色散关系，电子―声子相互作用，电子―激子相互作用，能隙的大小等，以及这些参数随石墨烯层数、石墨烯与衬底相互作用导致的电子结构的变化。利用ARPES研究拓扑绝缘体的表面态，确定能级色散关系，狄拉克点的数目，判定系统是否是强的拓扑绝缘体。利用自旋分辨的ARPES和不同偏振模式的光源分辨电子不同自旋分支的色散关系，测量电子自旋的极化特性。
（6）利用核磁共振技术（NMR）研究研究三维拓扑绝缘体的磁性质，从磁性质上找到拓扑绝缘相变的证据。使用高压和掺杂技术调节三维拓扑绝缘体量子相变，进一步研究其在量子相变点的特性。改进NMR系统，提高核磁共振的灵敏性，从而可以对拓扑绝缘体的表面态进行研究。研究表面的磁激发谱及其金属态的特性，从而得到表面态在微波波段的磁性质，并进一步与块材绝缘态的性质进行对比。
（7）利用第一原理计算方法（GW）、考虑电子在石墨烯的自能相互作用和电子―空穴相互作用（GW―BSE方法），解决在外加电场下双层石墨烯的电子结构，双层石墨烯的光学性质对外加电场的依赖关系。以更加直观的物理语言澄清低能有效理论所包含的物理实质。
（8）理论研究拓扑绝缘体体内掺杂后的物理性质以及表面态物理性质。着重研究体系的输运和光学性质，探讨自旋轨道耦合以及拓扑效应在其中扮演的角色。理论研究表明拓扑绝缘体的体内和边界上支持分数化激发的存在，我们拟从理论上进一步解释在扑绝缘体上出现分数化激发的惊奇现象。研究拓扑绝缘体内部以及边界上的量子关联和量子纠缠，理解和直观地刻画这种量子关联对于拓扑序的研究以及应用。
第二篇：学位申请书
本人自20xx年月至20xx年月在。xx学院计算机与信息工程系计算机科学与技术专业学习，完成了专业培养计划要求的学分并已取得毕业资格，符合"xx学院硕士学位授予实施细则"之规定，特此提出工学硕士学位申请。
申请人：
系总支负责人：（章）年月日
学位评定分委员会意见：学位评定分委员会主席：年月日
经硕士学位评定委员会意见：同意授予硕士学位。
学位证编号：硕士学位
评定委员会主席：年月日
第三篇：本科留学申请
一、俄罗斯本科申请流程
1、春季入学
可以在六月份毕业之后，休息几个月之后再开始申请的准备，这样可以给大家一个缓冲的时间，适合那些对出国留学不是特别着急的学生。
九月份的时候，可以开始对个人情况进行审视，了解本人的特长和优势，确定未来的学校和专业，然后进行报名，准备个人的身份材料，缴纳申请费用。
十月份的时候学校的初步审核通过，然后发邮件到学生的邮箱，要求学生补齐材料，大家需要按照学校的要求来整理材料，并且按时寄给学校，这里大家有两个月的准备时间。
大概两周之后大家就能够拿到申请的结果，到手之后要及时办理签证，审核的时间需要一个月左右，如果比较着急，可以办理加急，拿到签证就可以准备出国了。
2、秋季入学
而大家如果比较着急，不想浪费时间的话，可以在学校在读期间，就开始进行申请的准备，这样在完成了阶段性的学习，顺利毕业之后，就可以直接前往俄罗斯学习。
大概在三月份的时候，就需要开始准备了，需要做的事情，自然也是进行目标院校与专业的确定，这段时间还需要对个人的实际情况进行深入的了解。
四五月份是大家整理准备材料的黄金期，大多数的学校只需要学生能够出示学历完成的证明以及成绩单即可，不过大家还可以准备一些辅助材料来增加申请的成功率。
六月初是递交申请的黄金期，在六月末会拿到结果，然后就需要立马进行签证的申请，在等待期间可以整理行李，然后在九月份出发前往俄罗斯。
二、留学俄罗斯本科条件
1、学历
想在俄罗斯去读本科课程的学生，首先要在国内学完高中的课程，而且俄罗斯的本科学校对于中专毕业的学生是不接受的。
2、成绩
假设要在俄罗斯学习本科，还得有学生的会考分数。当然学生在国内高考的分数对于申请是没有用的，此外还需要学生供给高中三年的考试分数，而且学生的高中GPA必须要考到70%以上。
3、语言
到俄罗斯学习本科，如果学生想读的是英语教育的课程，那么就需要去考IELTS或者是TOEFL，而且不管是考哪个英语考试，成绩都得到相应的分数才能报考俄罗斯的本科。如果是想要读俄语教育的课程，学生就必须会俄语，如果不会俄语的，需要先学习一年的俄语然后再去报考。但不管想要读什么语言的课程，大家都应该要提早在国内把语言准备好，这样之后就可以不用再另外花时间来学语言了。而且学生就算不是读俄语课程，也最好也要有俄语的根底，毕竟学生想要在这里生活的话，沟通中肯定是少不了俄语的。
4、年龄
一些年纪比较大的学生想在俄罗斯学习本科课程，可能不太合适，俄罗斯的本科对于学生的年龄要求是不能超过30岁。当然如果是到俄罗斯这里读硕士等等课程，这样的年龄是没有问题的。
三、俄罗斯留学优势
1、俄罗斯教育资源优势
俄罗斯是世界闻名的教育大国，艺术大国，高等教育历史悠久。具有极高的国际声誉。拥有众多知名大学，专业类别丰富。世界排名TOP10的国立莫斯科大学，国立圣彼得堡大学、柴可夫斯基音乐学院以及莫斯科国际关系学院等。尤其是在艺术、芭蕾、绘画、高精尖科技方面，均属世界一流，培养出众多享誉全球的人才。留学俄罗斯不仅可以在学术上提升自己的专业素养，感受文化艺术氛围，也是留学生争相去的最大原因。
2、留学俄罗斯的手续优势
俄罗斯留学采取宽进严出，办理签证、入学手续很简单。只要具备高中以上文凭，可进入俄罗斯任何一所大学预科班学习。预科结束后无需考试进入大学本科专业学习。
赴俄留学的速度比较快，申请签证大概三四个月时间，院校发放入学通知书大概一周左右，通过移民局申请入境邀请函35―45天左右。只要学生提供的材料真实有效，均可顺利取得入学邀请函和入境签证。
3、留学俄罗斯的价格优势
在中俄两国政府鼓励和扶持互派留学利好政策的支持下，工薪阶层也能圆留学梦，相比于欧美国家一年几十万的开销，留学俄罗斯的费用相比国内一线城市的生活费还要低，教学质量和学历含金量远远超过中国普通高校。各高校以及专业间的学费是不同的，预科学费大概是2万―5万元人民币/年，因校而异，本科约为2万―4万元人民币/年，生活费与俄罗斯城市消费水平有关，平均是1万―2万元。
第四篇：本科留学申请
申请条件和流程
1.中国学生需要高中毕业，申请时候提供高中毕业证书和高中三年成绩单。
2.中国学生申请之前要提供雅思成绩，最低分数为6分。
3.芬兰本科多为每年秋季开学，并且是集中申请，2019秋季入学的申请时间集中在2019年1月7号到2月11号之间，可以同时有4个申请选择。
4.芬兰本科申请中心将在每年4DD5月份之间在中国北京，武汉或者上海，或者芬兰在中国的使馆，领事馆组织芬兰本科入学考试，根据学生所申请的专业不同，一般需要考试英语，数学，物理（商科），或者英语和数理化综合试卷 （理工类），另外部分学校还要求口语面试或者电话面试。通知考试的信件中会提及到考试地点，费用，以及所考成绩会被哪几所学校认可。
5.申请结果将在6月初以书面形式发到申请人手中。
芬兰留学申请材料
存款证明
被芬兰高等院校接受的外国学生，必须出示能够支付在芬兰生活和学习所需所有费用的证明。芬兰及其它国家的居民均可作经济担保人。经济担保证明形式应是银行出具的申请人立户及带有存款金额的证明。担保人必须在芬兰一家银行以申请人名义（即在申请人名下）存入一年所需费用6500美元，然后由银行出个申请人立户及存款金额证明。
申请人须有最低额为7000美元银行汇票，或本人在芬兰银行的存款证明，第三国经济担保无效。
芬兰的学生可以每周打工20个小时，但是工作很不好找，主要是语言问题。如果申请去的是一些小城市学习，工作机会更少。雇主非常看中学习成绩，所以打工，也还是先要好好学习。
1.填写完整的申请表。
2.最高学历或大学在读公证书及各学期成绩单的公证书。
3.英语语言能力证明：TOEFL或IELTS成绩或英文考级证明。
4.个人简历：包括出生日期、婚姻状况、家庭住址、个人爱好、学习经历、工作经历等。
5.工作经历公证书：如已工作请写明工作经历、工作职务及职责范围，并附工作单位评语、推荐信（加盖公章）。
6.学习计划：要写明赴芬兰就学目的、选择专业动机、赴芬兰就学经济来源、个人发展计划、兴趣爱好及性格特点的描述等，全文应在1000字左右。
7.照片6张。
8.在一张空白纸上打印上你的中、英文通信地址、邮编及电话。
注：以上资料均要求中、英文对照，除公证书外全部使用A4规格纸张。
申请注意事项
申请时间：每年的1月到2月；
申请方式：网申，主要填一些基本资料；
申请注意事项：网申时需选择目标学校，总共可以选择4所，需按照先后顺序排序。（当申请递交之后，你的资料将会按照这个顺序到你所选的学校进行审核，不过一般情况下，当你的情况符合基本要求时，基本上所选的学校都会发来入学考试邀请函的）；
递交申请材料：申请本科的同学，只需要准备高中相关的资料就行了：高中毕业证复印件及翻译件，高中三年成绩单复印件及翻译件，雅思成绩单复印件（雅思要求6分及以上）。这些材料需邮寄到目标学校。
芬兰留学优势
一、环境优美
芬兰有“千湖之国”的美誉，森林覆盖率为74%，高居世界第二，因此芬兰境内空气纯净，最适宜学习与居住。
二、经济发达
发达的国家经济、世界领先的科学技术铸就了芬兰连续三年被达沃斯世界经济论坛评选为世界上最有竞争力的经济体。
三、教育水平高，高等教育免学费
芬兰有近50所大学和高等理工学院，均为国立院校，教育质量高；65%国民受过高等教育，英语在芬兰被广泛使用；高等教育免收学费，有众多英语授课项目供国际学生选择。
四、安全
芬兰福利体系完善，社会治安有保障，无过大的贫富差距。完善的养老、医疗、教育及失业等福利制度是社会安定繁荣的有力保证。因此芬兰国内的犯罪率很低，被评为世界上最安全的国家之一。
五、费用低廉
留学生可以享受到与芬兰本国人同等的社会福利待遇，而每年生活费用仅约为6到7万元人民币。此外留学生每周可有20小时的打工时间，假期则无限时。因此留学芬兰的学生将不会有过重的经济压力和负担。
六、人才的天堂
芬兰全球最著名的通信领域巨头“诺基亚”、在赫尔辛基大学读二年级的时候就开发了与微软视窗齐名的Linux操作系统的芬兰人Linux，都显示出了芬兰企业对人才的需求以及芬兰学校对人才的培养能力。
七、职业发展前景好
芬兰已取代瑞典成为中国在北欧最大的贸易伙伴，为中国在芬兰留学生提供了更广阔的就业发展平台；同时，许多芬兰公司意欲拓展中国市场，曾经留学芬兰、具有两国文化背景的复合型人才将具有极大的竞争优势。
八、申根签证可畅游欧洲
芬兰早已加入欧盟和申根协议，拥有芬兰签证的您可以在紧张的学习之余，畅游欧洲。
第五篇：留学申请书
Dear x:
I would like to apply to do a Management degree. Having acted as ManagingDirector on a Young Enterprise Team whilst doing my 'AS' levels, I came up withinnovative ideas that made a very successful company. Having held managementpositions within Human Resources, Operations, and Finance, I quickly realisedthat pursuing a management degree at university would be ideal for me.
After my GCSE's, I held a temporary job as a junior in an Insolvencypractice, in order to gain work experience. Having to work to tight deadlinestaught me how to work independently as part of a professional team. I learntthat in business, if one person lacks productivity, then everyone else cansuffer, and also how to motivate others as a means of preventing such issues. Iused the skills learnt to enhance my role as the Managing Director of my youngEnterprise company, particularly methods of motivation and delegation, and thesignificance of being accountable for others. Having spent nearly three yearsworking part time in a Health food shop alongside my studies, I developed mycommunication skills, with both colleagues and customers, and proved to be atrustworthy employee.
Being appointed as Deputy Head Boy in the sixth form was a great honour tome. My skills were greatly enhanced by holding this position, as I would oftenhave to listen, and respond to issues brought up by fellow prefects, andstudents lower down the school.
Yours sincerely,
第六篇：双学位申请书
双学位申请书
范文一:
尊敬的领导老师：
您好，我是商学院**级**专业**班的学生，学号：**，本人从开学至今累计学分绩**，专业排名第*名，英语四级**分(六级**分)，(全国)计算机二级考试**分，(简短介绍获奖学金情况)(简短介绍参加课外学术科技获奖情况)，为了适应国家经济建设和科学技术发展的需要且自身学习能力比较强，潜力较大且身体健康，思想品德好，同时也已经了解了《桂林电子科技大学本科生修读辅修专业、双专业、双学位管理办法》(2013年10月28日印)，服从学校的学籍管理规定，为了，特此申请修读**专业的双学位，恳请批准。
此致
敬礼
申请人学号：
姓名：
**年**月**日
范文二:
尊敬的领导老师：
您好，我是商学院XX级XX专业XX班的学生，学号：XXXX,本人从开学至今累计学分：XX分，专业排名第XX名，英语四级XX分，计算机二级考试XX分，为了适应国家经济建设和科学技术发展的.需要且自身学习能力比较强，潜力较大且身体健康，思想品德好，同时也已经了解了本校的双学位管理办法的要求，服从学校的学籍管理规定，为了XXXX，特此申请修读XX专业的双学位，恳请批准。
姓名：
**年**月**日